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浙江大学
电子显微镜在Cu_2Se和VO_2纳米级相变中的原位研究
在纳米材料的广泛研究和应用中,材料与纳米级体积的性质不同是非常重要的。
作为材料的一个重要特征相变有研究历史悠久,但许多纳米材料的相变行为的功能尚未透露。
同时,现场电子显微镜技术的快速发展并不需要详细分析实验方法带来的影响。
在这项研究中,在Cu 2 Se和VO 2(A)在纳米级的相变行为,通过在运行中传热的电子显微镜检查。对Cu 2 Se纳米相转变进行了理论模拟,分析了Cu 2 Se A低温相的晶体结构和原位电子显微镜实验引入的影响因素。
具体内容如下。
纳米晶体的两个相的第二相变材料的Cu 2 Se构成的形式共存,在原子水平的相位接口操作被发现为已经执行的第一次。
通过聚焦离子束的化学侵蚀制备高质量单晶纳米晶体的样品。
另外,在电子显微镜实验原位加热传输,由所述第二相变材料存在Cu 2 Se的楔的形式两相纳米晶体的热机械地共存,相变显示,非常大的。它对温度反应很敏感。
这些现象与散装材料不同。
基于该相变行为的热力学模型(第4章)与实验数据非常吻合,我们检查了该块。
(本文共有117页)
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授权来源:浙江大学博士论文,2018年

来源:365bet官网体育  时间:2019-02-13 00:45

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